《接入網(wǎng)用彎曲不敏感單模光纖光纜及關(guān)鍵制備技術(shù)與應(yīng)用》榮獲2011年度湖北省科技進步獎。本項目在充分利用等離子體氣相沉積（PCVD）工藝沉積效率高和對折射率剖面控制精準的基礎(chǔ)上，從波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、材料設(shè)計到工藝流程進行了徹底革新，形成了自主知識產(chǎn)權(quán)的“PCVD低水峰大棒制備技術(shù)”和“大棒高速連續(xù)拉絲技術(shù)”兩個關(guān)鍵技術(shù)，解決了管內(nèi)法難于制造復(fù)雜折射率剖面大尺寸預(yù)制棒的技術(shù)難題，開發(fā)出了完全符合接入網(wǎng)用最新G.657標準的下陷包層結(jié)構(gòu)彎曲不敏感單模光纖預(yù)制棒和光纖光纜。
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